Samsung đau đầu với án phạt mới lên tới 1,2 tỷ USD
Theo đó, mức phạt trên của Samsung được Tòa án liên bang Mỹ đưa ra sau quá trình xem xét vụ kiện vi phạm sở hữu trí tuệ do KAIST IP US (thuộc Viện Khoa học và Công nghệ Phát triển Hàn Quốc) khởi xướng.
Cụ thể, đơn kiện của KAIST IP US đưa ra cho biết, Samsung đã cố tình sử dụng công nghệ FinFET của đơn vị này mà không có sự xin phép hay mua bản quyền.
 |
Cùng bị kiện giống Samsung còn có 2 cái tên khác là Qualcomm và GlobalFoundaries nhưng thật khó hiểu khi 2 công ty này lại không phải chịu mức phạt nào cho việc sử dụng trái phép công nghệ của KAIST IP US. Vậy cộng nghệ FinFET là gì mà khiến Samsung "đau đớn" như vậy.
Thực tế, FinFET là một bóng bán dẫn được sử dụng trong thiết kế của chip xử lý, sử dụng cổng điện cực dạng vây cá (lá tản nhiệt). Công nghệ này cho phép nhiều cổng mở trên bóng bán dẫn duy nhất, cho phép cải thiện hiệu suất và tiêu thụ năng lượng ít hơn trên các chip nhỏ hơn.
Ban đầu, mức phạt do tòa án đưa ra cho Samsung ở con số 400 triệu USD nhưng sau đó nhanh chóng tăng lên thành 1,2 tỷ USD khiến hãng công nghệ của Hàn Quốc choáng váng.
Phản hồi sau thông tin án phạt trên, Samsung cho rằng mức án này là bất hợp lý và không phù hợp. Hãng này sẽ tiến hành kháng cáo vụ việc.
Nhận định về án phạt trên, giới chuyên gia cho rằng đây là sự đối đầu không khoan nhượng giữa một bên là tổ chức nghiên cứu hàng đầu của Hàn Quốc với một bên là hãng công nghệ hàng đầu nước này.
